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El encapsulado MOSFET automotriz busca mayor fiabilidad de montaje

ROHM introduce un encapsulado compacto con terminales gull-wing para soportar uniones de soldadura estables y manejo de altas corrientes en la electrónica de potencia de baja tensión del vehículo.

  www.rohm.com
El encapsulado MOSFET automotriz busca mayor fiabilidad de montaje

Las etapas de potencia de baja tensión en los vehículos dependen de conexiones de soldadura mecánicamente robustas y de un comportamiento térmico predecible a medida que la electrificación se extiende a más subsistemas. Para abordar estas limitaciones, ROHM amplió su portafolio automotriz de MOSFET de 40 V/60 V con dispositivos basados en el nuevo encapsulado HPLF5060.

Menor tamaño sin comprometer la integridad de la soldadura
Las ECUs automotrices, bombas y módulos de iluminación adoptan cada vez más diseños de PCB compactos, llevando los encapsulados MOSFET hacia dimensiones de la clase 5 × 6 mm. Los formatos sin patillas reducen el tamaño, pero dificultan la inspección y la fiabilidad de la soldadura debido al reducido espaciado entre terminales.

El encapsulado HPLF5060 mide 4,9 mm × 6,0 mm y sustituye al formato TO-252 más grande (6,6 mm × 10,0 mm). En lugar de una estructura sin patillas, emplea terminales gull-wing que permiten filetes de soldadura visibles y mejoran la fiabilidad de montaje durante el ensamblaje automatizado y los ciclos térmicos en campo.

El diseño aborda una preocupación típica de fiabilidad automotriz: la fatiga de las uniones de soldadura bajo vibraciones y variaciones de temperatura en el rango operativo de −40 °C a +150 °C común en la electrónica de potencia vehicular.

Capacidad de corriente determinada por la interconexión interna
Para mantener el rendimiento eléctrico pese al menor tamaño, el encapsulado integra tecnología de unión mediante clip de cobre. En comparación con el wire bonding tradicional, el clip de cobre reduce la resistencia eléctrica y mejora la disipación térmica entre el chip y los terminales.

En la práctica, esto permite mayor densidad de corriente y menores pérdidas de conducción en arquitecturas de vehículo de 12 V y 48 V, habituales en bombas eléctricas, faros LED y etapas de control de inversores dentro del ecosistema electrónico automotriz distribuido.

Inicio de producción y ampliación del portafolio
La producción en serie de MOSFET con encapsulado HPLF5060 comenzó en noviembre de 2025, con distribución a través de proveedores de componentes como DigiKey y Farnell.

ROHM también indicó desarrollos adicionales de encapsulado:
  • DFN3333 (3,3 mm × 3,3 mm) con tecnología wettable flank previsto para producción alrededor de febrero de 2026, permitiendo inspección óptica automática tras la soldadura
  • TOLG (TO-Leaded with Gull-wing, 9,9 mm × 11,7 mm) en desarrollo para aplicaciones de mayor potencia
En conjunto, estos encapsulados amplían la cobertura desde circuitos de control compactos hasta etapas de potencia de alta corriente en los subsistemas de electrificación automotriz.

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